Механизм люминесценции светодиодов RGB

Напряжение на клеммах PN-перехода представляет собой потенциальный барьер. Когда прикладывается прямое напряжение смещения, потенциальный барьер падает, и большинство носителей в P- и N-областях диффундируют друг к другу. Поскольку подвижность электронов намного выше, чем подвижность дырок, большое количество электронов диффундирует в область P, образуя инжекцию нескольких носителей в области P. Эти электроны рекомбинируют с дырками в валентной зоне, и энергия, полученная при рекомбинации, выделяется в виде световой энергии. Это принцип свечения PN-перехода.